首页
关于我们
公司简介
企业新闻
发展历程
企业荣誉
合规诚信
新品发布
招聘信息
技工教育
产品中心
分立器件
晶圆
集成电路
汽车
小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
整流二极管
快恢复二极管
肖特基二极管
瞬态抑制二极管
静电保护二极管
MOSFET
功率三极管
小信号数字三极管
功率稳压管
SiC汽车电子
IGBT汽车电子
整流器件
整流桥
普通整流二极管
快恢复二极管
超高效整流二极管
超快恢复二极管
肖特基二极管
光伏二极管
焊接二极管
汽车电子整流器件
整流二极管
快恢复二极管
肖特基二极管
保护器件
瞬态抑制二极管
晶闸浪涌保护器
静电保护二极管
稳压管
可控硅
单向可控硅
双向可控硅
汽车电子保护器件
瞬态抑制二极管
静电保护二极管
功率稳压管
小信号
小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
小信号数字三极管
功率三极管
汽车电子小信号
小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
功率三极管
小信号数字三极管
MOSFET
ALL MOSFET
汽车电子MOSFET
高压MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET
SiC MOSFET
Planner MOSFET
中低压MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET
Dual N-Channel MOSFET
Dual P-Channel MOSFET
Half-bridge MOSFET
IGBT
IGBT模块
IGBT单管
IGBT汽车电子
模块
整流模块
快恢复模块
肖特基模块
晶闸管模块
晶闸管混合模块
快速/相控晶闸管
SiC
SiC肖特基二极管单管
SiC MOSFET单管
SiC二极管模块
SiC MOSFET模块
SiC汽车电子肖特基二极管
SiC汽车电子MOSFET
4/5寸晶圆
STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高压模块雪崩芯片
汽车电子芯片
6寸晶圆
TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防护芯片
8寸晶圆
集成电路
负载开关
线性稳压器
并联式电压基准
开关电源转换器
应用领域
汽车
清洁能源
工控
电源
智能家居
安防
仪表
通信
品质技术
技术资源
品质文件
可靠性测试
PCN/EOL
环保公告
投资者关系
概况总览
定期报告
股票行情
GDR
CORPORATE GOVERNANCE
ANNOUNCEMENT
INVESTOR INTERACTION
FINANCIAL REPORTING RELEASE
CORPORATE CALENDAR
PRESS RELEASES
联系我们
招采平台
产品
参照
中文
EN
首页
关于我们
公司简介
企业新闻
发展历程
企业荣誉
合规诚信
新品发布
招聘信息
技工教育
产品中心
分立器件
汽车
小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
整流二极管
快恢复二极管
肖特基二极管
瞬态抑制二极管
静电保护二极管
MOSFET
功率三极管
小信号数字三极管
功率稳压管
整流器件
整流桥
普通整流二极管
快恢复二极管
超高效整流二极管
超快恢复二极管
肖特基二极管
光伏二极管
焊接二极管
汽车电子整流器件
整流二极管
快恢复二极管
快恢复二极管
保护器件
瞬态抑制二极管
晶闸浪涌保护器
静电保护二极管
稳压管
可控硅
单向可控硅
双向可控硅
汽车电子保护器件
瞬态抑制二极管
静电保护二极管
功率稳压管
小信号
小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
小信号数字三极管
功率三极管
汽车电子小信号
小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
功率三极管
小信号数字三极管
MOSFET
ALL MOSFET
汽车电子MOSFET
高压MOSFET(500V-1000V)
高压MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET
SiC MOSFET
Planner MOSFET
中低压MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET
Dual N-Channel MOSFET
Dual P-Channel MOSFET
Half-bridge MOSFET
IGBT
IGBT模块
IGBT单管
模块
整流模块
快恢复模块
肖特基模块
晶闸管模块
晶闸管混合模块
相控晶闸管
SiC
SiC肖特基二极管单管
SiC MOSFET单管
SiC二极管模块
SiC MOSFET模块
SiC汽车电子肖特基二极管
SiC汽车电子MOSFET
晶圆
4/5寸晶圆
STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高压模块雪崩芯片
汽车电子芯片
6寸晶圆
TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
PMBD芯片
集成电路
集成电路
负载开关
线性稳压器
并联式电压基准
开关电源转换器
应用领域
汽车
清洁能源
工控
电源
智能家居
安防
仪表
通信
品质技术
技术资源
品质文件
可靠性测试
PCN/EOL
环保公告
投资者关系
概况总览
定期报告
股票行情
GDR
联系我们
招采平台
首页
关于我们
新品发布
100V TOLL Package MOSFET
100V TOLL Package MOSFET
返回
新产品宣告
产品介绍
MOSFET应用的功率越来越大,降低MOSFET的导通内阻,提高MOSFET的散热性能, 减小体积,提升MOSFET的功率密度,是MOSFET从业者孜孜不倦的追求。扬杰科技 TO-Leadless(TOLL)MOSFET封装经过优化,可处理高达 280A的电流,在大幅减少占 用空间的同时提高功率密度。与 D2PAK相比,占用空间减少 30%,高度减少 50%,从而总 空间节省近60% ,使电路板设计更加紧凑。
产品特点
1.最高电流能力达 280A,所需并联和散热部件少;
2.焊接面积经改善,显著减少电迁移现象,高系统可靠性;
3.极低的封装寄生效应,低EMI;
4.无引脚封装,支持极为紧凑的设计;
5.采用TOLL封装,更好的热值特性。
规格书
相关新品
GBU封装扩充35A-50A大电流系列产品
用于电机驱动、大功率变频器的TO-252封装功率三极管
IGBT高频系列C1模块
用于以太网供电(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品
IGBT 50A/75A 1200V单管——工控应用
SOD-123HE瞬态抑制二极管
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
用于负载开关的P 40V Trench新品
汽车电机驱动用N40V SGT MOSFET新品
IGBT 高性能微沟槽单管产品——光储充新能源应用
Privacy Cookies
本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验,相关信息请访问我们的法律声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示,便表示您已接受我们网站的使用条款。
ACCEPT