产品 参照
中文 EN
首页
关于我们
新品发布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品介绍 1.采用扬杰科技SGT特殊工艺制程，根据电机驱动和电源应用要求，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率；
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题，提升产品整体的可靠性。
产品特点 1.采用扬杰科技SGT特殊工艺制程设计，具有更高的工艺稳定性和可靠性；
2.系列产品具有更快的开关速度，更小的栅电荷和更高的应用效率；
3.采用PDFN5060封装，更好的热阻特性。
规格书

YJG88G12A

相关新品

适用于大功率DCDC的MOSFET新品

100V TOLL Package MOSFET

高结温超快恢复二极管

120V SGT工艺N-Channel MOSFET

MT-W三相方桥新品

用于伺服控制器、变频器、工业电源的微沟槽IGBT

整流桥设计优化新封装GBU-L

SOD-123HE 二极管

应用于PD电源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

用于PD VBUS的N30V Trench MOSFET
关于我们
公司简介 企业新闻 发展历程 企业荣誉 合规诚信 新品发布 招聘信息 技工教育 招采平台
产品中心
汽车 整流器件 保护器件 小信号 Mosfet IGBT 模块 SiC 4/5寸晶圆 6寸晶圆 集成电路
应用领域
汽车 清洁能源 工控 电源 智能家居 安防 仪表 通信
品质技术
技术资源 品质文件 可靠性测试 PCN/EOL 公告
投资者关系
概况总览 定期报告 股票行情 GDR OFFERING
关注扬杰
扬杰科技 SZ300373

11.88

▼RMB
截止时间 2023-03-24 15:59:10

热线： 400 106 0780(8:00~12:00 13:30~17:30)

邮箱： yangjie@21yangjie.com

地址： 扬州市邗江区荷叶西路6号

微信扫码关注

©2023 扬州扬杰电子科技股份有限公司 苏ICP备12043831号-1   苏公网安备 32100302010286号
Powered by SE

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请访问我们的法律声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示，便表示您已接受我们网站的使用条款。